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FDA33N25 Image

ON Semiconductor FDA33N25

Numéro de pièce MFG
FDA33N25
quantité disponible
43320 Pièces
Prix de référence
USD 2.576
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
UniFET™ MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDA33N25.pdf
FDA33N25 Image

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FDA33N25 Caractéristiques

Référence fabricant FDA33N25
Numéro de pièce future FT-FDA33N25
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries UniFET™
FDA33N25 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 245W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-3PN
Paquet / caisse TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDA33N25 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDA33N25-FT

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