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ON Semiconductor FCPF9N60NTYDTU

Name: FCPF9N60NTYDTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCPF9N60NTYDTU
Price: 1.512848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (387 reviews)

Numéro de pièce MFG: FCPF9N60NTYDTU

quantité disponible: 83590 Pièces

Prix de référence: USD 1.512848

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: SupreMOS™ MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FCPF9N60NTYDTU.pdf

FCPF9N60NTYDTU Caractéristiques

Référence fabricant	FCPF9N60NTYDTU
Numéro de pièce future	FT-FCPF9N60NTYDTU
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SupreMOS™
FCPF9N60NTYDTU Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	385 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1240pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	29.8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCPF9N60NTYDTU Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FCPF9N60NTYDTU-FT

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