maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCPF099N65S3
Référence fabricant | FCPF099N65S3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FCPF099N65S3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperFET® III |
FCPF099N65S3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2310pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 43W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF099N65S3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCPF099N65S3-FT |
FDU8780_F071
ON Semiconductor
FDU8782
ON Semiconductor
FDU8796
ON Semiconductor
FDU8796_F071
ON Semiconductor
FDU8870
ON Semiconductor
FDU8874
ON Semiconductor
FDU8876
ON Semiconductor
FDU8878
ON Semiconductor
FDU8880
ON Semiconductor
FDU8882
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel