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ON Semiconductor FCP600N65S3R0

Numéro de pièce MFG
FCP600N65S3R0
quantité disponible
29140 Pièces
Prix de référence
USD 0.714112
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
SuperFET® III SUPERFET3 650V TO220 PKG
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FCP600N65S3R0.pdf
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FCP600N65S3R0 Caractéristiques

Référence fabricant FCP600N65S3R0
Numéro de pièce future FT-FCP600N65S3R0
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SuperFET® III
FCP600N65S3R0 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 465pF @ 400V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 54W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP600N65S3R0 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FCP600N65S3R0-FT

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