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ON Semiconductor FCP190N65S3R0

Name: FCP190N65S3R0
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP190N65S3R0
Price: 1.141384 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (662 reviews)

Numéro de pièce MFG: FCP190N65S3R0

quantité disponible: 46910 Pièces

Prix de référence: USD 1.141384

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: SuperFET® III MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FCP190N65S3R0.pdf

FCP190N65S3R0 Caractéristiques

Référence fabricant	FCP190N65S3R0
Numéro de pièce future	FT-FCP190N65S3R0
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SuperFET® III
FCP190N65S3R0 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.7mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	144W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP190N65S3R0 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FCP190N65S3R0-FT

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