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ON Semiconductor FCMT299N60

Name: FCMT299N60
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCMT299N60
Price: 1.445448 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (299 reviews)

Numéro de pièce MFG: FCMT299N60

quantité disponible: 76890 Pièces

Prix de référence: USD 1.445448

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: SuperFET® II MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FCMT299N60.pdf

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FCMT299N60 Caractéristiques

Référence fabricant	FCMT299N60
Numéro de pièce future	FT-FCMT299N60
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SuperFET® II
FCMT299N60 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1948pF @ 380V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	Power88
Paquet / caisse	4-PowerTSFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCMT299N60 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FCMT299N60-FT

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