maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCH104N60F
Référence fabricant | FCH104N60F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FCH104N60F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, Polar™ |
FCH104N60F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104 mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5950pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 357W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH104N60F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCH104N60F-FT |
GP2M023A050N
Global Power Technologies Group
GP1M003A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M004A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M006A065F
Global Power Technologies Group
GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group
GP1M006A070F
Global Power Technologies Group
GP1M006A070FH
Global Power Technologies Group
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel