maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCH072N60
Référence fabricant | FCH072N60 |
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Numéro de pièce future | FT-FCH072N60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperFET® II |
FCH072N60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 52A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5890pF @ 380V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 481W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH072N60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCH072N60-FT |
GP1M005A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FSH
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GP1M006A065F
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GP1M006A065FH
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GP1M006A070F
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GP1M006A070FH
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GP1M008A025FG
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GP1M008A050FG
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GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
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Lattice Semiconductor Corporation
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