maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCA36N60NF
Référence fabricant | FCA36N60NF |
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Numéro de pièce future | FT-FCA36N60NF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRFET®, SuperFET® II |
FCA36N60NF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 34.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4245pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 312W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3PN |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCA36N60NF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCA36N60NF-FT |
RJK2557DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK03M5DNS-00#J5
Renesas Electronics America
UPA2820T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2825T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
2SK3482-AZ
Renesas Electronics America
2SK3484-AZ
Renesas Electronics America
2SK3483-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813-AZ
Renesas Electronics America
RJK6002DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK6032DPH-E0#T2
Renesas Electronics America
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel