maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCA22N60N
Référence fabricant | FCA22N60N |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FCA22N60N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SupreMOS™ |
FCA22N60N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 205W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3PN |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCA22N60N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCA22N60N-FT |
RJK0393DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
HAT2192WP-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2287WP-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2299WP-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0346DPA-01#J0B
Renesas Electronics America
RJK0353DPA-01#J0B
Renesas Electronics America
RJK1555DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK1557DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2055DPA-00#J0
Renesas Electronics America
RJK2057DPA-00#J0
Renesas Electronics America
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel