maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FA38SA50LC
Référence fabricant | FA38SA50LC |
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Numéro de pièce future | FT-FA38SA50LC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
FA38SA50LC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 38A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 420nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FA38SA50LC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FA38SA50LC-FT |
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Microsemi Corporation
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP2AGX65CU17C4
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