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Infineon Technologies F475R07W2H3B51BPSA1

Name: F475R07W2H3B51BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: F475R07W2H3B51BPSA1
Price: 53.085336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (769 reviews)

Numéro de pièce MFG: F475R07W2H3B51BPSA1

quantité disponible: 68870 Pièces

Prix de référence: USD 53.085336

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: - MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: F475R07W2H3B51BPSA1.pdf

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F475R07W2H3B51BPSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	F475R07W2H3B51BPSA1
Numéro de pièce future	FT-F475R07W2H3B51BPSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
F475R07W2H3B51BPSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	Three Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	75A
Puissance - Max	250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.55V @ 15V, 37.5A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	4.7nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	Module
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
F475R07W2H3B51BPSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	F475R07W2H3B51BPSA1-FT

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