maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / F1T3GHA1G
Référence fabricant | F1T3GHA1G |
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Numéro de pièce future | FT-F1T3GHA1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
F1T3GHA1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | TS-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1T3GHA1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | F1T3GHA1G-FT |
EM 2BV0
Sanken
EM 2V
Sanken
EM 2V0
Sanken
EM01
Sanken
EM01A
Sanken
EM01AV
Sanken
EM01AV0
Sanken
EM01AW
Sanken
EM01V
Sanken
EM01V0
Sanken
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
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5SGXMABN3F45I3N
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5SGXMA5H2F35I3N
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