maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / F1827CCD1000
Référence fabricant | F1827CCD1000 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-F1827CCD1000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
F1827CCD1000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 25A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.55V @ 75A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1827CCD1000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | F1827CCD1000-FT |
CPT50235A
Microsemi Corporation
CPT50235D
Microsemi Corporation
CPT600100A
Microsemi Corporation
CPT600100D
Microsemi Corporation
CPT600150
Microsemi Corporation
CPT600150A
Microsemi Corporation
CPT60035A
Microsemi Corporation
CPT60035D
Microsemi Corporation
CPT60045A
Microsemi Corporation
CPT60045D
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel