maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / F1827CCD1000
Référence fabricant | F1827CCD1000 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-F1827CCD1000 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
F1827CCD1000 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 25A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.55V @ 75A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1827CCD1000 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | F1827CCD1000-FT |
CPT50235A
Microsemi Corporation
CPT50235D
Microsemi Corporation
CPT600100A
Microsemi Corporation
CPT600100D
Microsemi Corporation
CPT600150
Microsemi Corporation
CPT600150A
Microsemi Corporation
CPT60035A
Microsemi Corporation
CPT60035D
Microsemi Corporation
CPT60045A
Microsemi Corporation
CPT60045D
Microsemi Corporation
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation