maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / ESM2012DV
Référence fabricant | ESM2012DV |
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Numéro de pièce future | FT-ESM2012DV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESM2012DV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 120A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1A, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1200 @ 100A, 5V |
Puissance - Max | 175W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ISOTOP |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESM2012DV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESM2012DV-FT |
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