maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ESH3CHE3_A/I
Référence fabricant | ESH3CHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-ESH3CHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ESH3CHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 40ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH3CHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH3CHE3_A/I-FT |
SS35-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel