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Référence fabricant | ESH1JM RSG |
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Numéro de pièce future | FT-ESH1JM RSG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH1JM RSG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | Micro SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1JM RSG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH1JM RSG-FT |
SK35AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110HM2G
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SS110HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
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XA3SD1800A-4FGG676Q
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XC7S6-1FTGB196Q
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Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
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XC2V3000-6FFG1152C
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5CEFA5U19C7N
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10AX115U4F45I3SG
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