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Référence fabricant | ESH1GM RSG |
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Numéro de pièce future | FT-ESH1GM RSG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH1GM RSG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | Micro SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1GM RSG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH1GM RSG-FT |
SK33AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK36AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK39AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel