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Référence fabricant | ESH1DM RSG |
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Numéro de pièce future | FT-ESH1DM RSG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH1DM RSG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | Micro SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1DM RSG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH1DM RSG-FT |
SK315AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel