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Référence fabricant | ESH1DM RSG |
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Numéro de pièce future | FT-ESH1DM RSG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH1DM RSG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | Micro SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1DM RSG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH1DM RSG-FT |
SK315AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK32AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK33AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK34AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK35A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel