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Référence fabricant | ESH1D M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ESH1D M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH1D M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1D M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH1D M2G-FT |
S1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J M2G
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S1JHM2G
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XC6SLX45-3CSG484C
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XC7A100T-2FTG256C
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XC6SLX100-3FGG484I
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A3P030-1VQG100I
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AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
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LFE2M70SE-6FN900I
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LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel