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Référence fabricant | ESH1D M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ESH1D M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH1D M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1D M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH1D M2G-FT |
S1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel