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Référence fabricant | ESH1B M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ESH1B M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH1B M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1B M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH1B M2G-FT |
S1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
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XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel