maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / ESD8351P2T5G
Référence fabricant | ESD8351P2T5G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ESD8351P2T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESD8351P2T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.3V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 5.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 11.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 0.37pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-923 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-923 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESD8351P2T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESD8351P2T5G-FT |
SZMMBZ6V2ALT1G
ON Semiconductor
SL24T1G
ON Semiconductor
SZMMBZ18VALT1G
ON Semiconductor
SZMMBZ6V8ALT1G
ON Semiconductor
NUP3105LT3G
ON Semiconductor
SZMMBZ27VALT3G
ON Semiconductor
SZMMBZ6V8ALT3G
ON Semiconductor
MMBZ47VALT1G
ON Semiconductor
SZNUP2105LT1G
ON Semiconductor
MMBZ12VALT1G
ON Semiconductor
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel