maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / ESD401DPYR
Référence fabricant | ESD401DPYR |
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Numéro de pièce future | FT-ESD401DPYR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESD401DPYR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5.5V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 7.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 24V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 4.5A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 67W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESD401DPYR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESD401DPYR-FT |
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
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DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A6.8LFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-8LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I3
Intel
5SGSED8K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
LFEC20E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2SG
Intel
EP2SGX130GF40C5
Intel