maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / ESD351DPYR
Référence fabricant | ESD351DPYR |
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Numéro de pièce future | FT-ESD351DPYR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESD351DPYR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.6V |
Tension - Panne (Min) | 4.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 6.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 16A |
Puissance - Peak Pulse | 36W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 1.8pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1006 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESD351DPYR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESD351DPYR-FT |
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel