maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / ESD321DPYR
Référence fabricant | ESD321DPYR |
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Numéro de pièce future | FT-ESD321DPYR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESD321DPYR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.6V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 4.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 6.8V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 40W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 0.9pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESD321DPYR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESD321DPYR-FT |
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation