maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / ESD321DPYR
Référence fabricant | ESD321DPYR |
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Numéro de pièce future | FT-ESD321DPYR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESD321DPYR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 3.6V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 4.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 6.8V (Typ) |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 40W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | 0.9pF @ 1MHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 2-X1SON (1x.60) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESD321DPYR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESD321DPYR-FT |
DF2S20CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S5.6CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.2CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6.8UCT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S12FU,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B7AE,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF2B6.8E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D6.8MS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF3D36FU,LF
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AFS600-1FG256K
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AGLN250V2-ZVQG100
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EP1SGX25DF672C5
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EP3SE50F484I4L
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10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
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XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel