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Référence fabricant | ES3JB R5G |
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Numéro de pièce future | FT-ES3JB R5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES3JB R5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.45V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3JB R5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3JB R5G-FT |
HS1MFL
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1FFL
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1AFL
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2J R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK110B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5KBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2G R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel