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Référence fabricant | ES3JB M4G |
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Numéro de pièce future | FT-ES3JB M4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES3JB M4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.45V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3JB M4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3JB M4G-FT |
S10GCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10KCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10KCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10MCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10MCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12GCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12GCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12JCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12JCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12KCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel