maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES3JBHM4G
Référence fabricant | ES3JBHM4G |
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Numéro de pièce future | FT-ES3JBHM4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES3JBHM4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.45V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3JBHM4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3JBHM4G-FT |
S8MCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK510CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK515CHM6G
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SK520CHM6G
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SK53CHM6G
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SK53CHR7G
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SK55CHR7G
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A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
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10M16DAF256I7G
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EP1K30FC256-2N
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EP3SE80F1152C2
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XC7K160T-2FF676C
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AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
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LCMXO640C-3BN256I
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5AGXMA3D4F31I3G
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