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Référence fabricant | ES3DV V7G |
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Numéro de pièce future | FT-ES3DV V7G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES3DV V7G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3DV V7G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3DV V7G-FT |
RS2J R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2K R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel