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Référence fabricant | ES3DV V6G |
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Numéro de pièce future | FT-ES3DV V6G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES3DV V6G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3DV V6G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3DV V6G-FT |
RS2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2J R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2K R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel