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Référence fabricant | ES3D-M3/57T |
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Numéro de pièce future | FT-ES3D-M3/57T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES3D-M3/57T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3D-M3/57T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3D-M3/57T-FT |
S5J-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5J-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel