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Référence fabricant | ES3B V6G |
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Numéro de pièce future | FT-ES3B V6G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES3B V6G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3B V6G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES3B V6G-FT |
RS2A R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2G R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2J M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2J R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
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XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
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EPF10K100ABC356-3
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EP1C12F324C6
Intel