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Référence fabricant | ES2LDHM4G |
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Numéro de pièce future | FT-ES2LDHM4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES2LDHM4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 940mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2LDHM4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES2LDHM4G-FT |
ES3BHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3CHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3CHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3FBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3FBHR5G
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ES3FHM6G
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ES3FHR7G
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ES3JHM6G
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MUR305SHM6G
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XC7A75T-1FTG256I
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
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LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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