maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES2DHE3_A/H
Référence fabricant | ES2DHE3_A/H |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ES2DHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES2DHE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 20ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DHE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES2DHE3_A/H-FT |
UH1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel