maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES2BA R3G
Référence fabricant | ES2BA R3G |
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Numéro de pièce future | FT-ES2BA R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES2BA R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2BA R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES2BA R3G-FT |
SS22LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel