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Référence fabricant | ES1LDHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1LDHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1LDHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1LDHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1LDHM2G-FT |
RS2KA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2KA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK320A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2JAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1D R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel