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Référence fabricant | ES1JL RVG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1JL RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1JL RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JL RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1JL RVG-FT |
SS26L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
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A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
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EP4SGX230FF35C4N
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