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Référence fabricant | ES1JL RTG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1JL RTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1JL RTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JL RTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1JL RTG-FT |
ES1AL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMHG
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ES1ALHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHMTG
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ES1ALHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1ALHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
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LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
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