maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1JL RQG
Référence fabricant | ES1JL RQG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ES1JL RQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1JL RQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JL RQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1JL RQG-FT |
TSOD1F1HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F2HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F4HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F6HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F8HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0540W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT42W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0530W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0520LW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT43W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel