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ES1JL M2G Image

Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL M2G

Numéro de pièce MFG
ES1JL M2G
quantité disponible
42330 Pièces
Prix de référence
USD 0.06336
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ES1JL M2G.pdf
ES1JL M2G Image

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ES1JL M2G Caractéristiques

Référence fabricant ES1JL M2G
Numéro de pièce future FT-ES1JL M2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ES1JL M2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 600V
Capacité @ Vr, F 8pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ES1JL M2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ES1JL M2G-FT

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