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Référence fabricant | ES1HL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1HL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1HL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 500V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1HL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1HL M2G-FT |
SS26L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS36LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel