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Référence fabricant | ES1DL RVG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1DL RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1DL RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1DL RVG-FT |
S1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
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UF1GLW RVG
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UF1GLWHRVG
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Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
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A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel