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Référence fabricant | ES1DL RHG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1DL RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1DL RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1DL RHG-FT |
SS115LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel