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Référence fabricant | ES1CL RTG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1CL RTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1CL RTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1CL RTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1CL RTG-FT |
S1JL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1ML RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
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10CL055YU484C8G
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EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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10AX032E2F29E1HG
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