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Référence fabricant | ES1AL RQG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1AL RQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1AL RQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1AL RQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1AL RQG-FT |
1SS355 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV21W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAV21WS RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4448W RHG
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1N4448WS RRG
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1N914BW RHG
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1N914BWS RRG
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Taiwan Semiconductor Corporation
BAV19W RHG
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BAV19WS RRG
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M2GL090-1FCSG325
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APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
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XC6VHX380T-2FFG1155C
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XC6VHX250T-1FF1154I
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XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
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LCMXO1200C-4BN256I
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LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation