maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1AL M2G
Référence fabricant | ES1AL M2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ES1AL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1AL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1AL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1AL M2G-FT |
RSFAL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFAL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFALHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFALHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel