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Référence fabricant | ES1AL M2G |
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Numéro de pièce future | FT-ES1AL M2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1AL M2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1AL M2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1AL M2G-FT |
RSFAL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFAL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFALHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFALHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFBLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RSFDL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel