maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Varistances, MOVs / ERZ-V20D112
Référence fabricant | ERZ-V20D112 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-V20D112 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-V20D112 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 680V |
Volts CC maximum | 895V |
Tension de varistance (min) | 990V |
Tension de varistance (Typ) | 1.1kV |
Tension de varistance (max) | 1.21kV |
Courant - Surtension | 7.5kA |
Énergie | 620J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 400pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 20mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-V20D112 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-V20D112-FT |
AVF16C225A000F405
TDK Corporation
AVF16C212A000F205
TDK Corporation
B72207S2301K101
EPCOS (TDK)
B72207S2321K101
EPCOS (TDK)
B72207S2271K101
EPCOS (TDK)
B72207S2171K101
EPCOS (TDK)
B72207S0271K321
EPCOS (TDK)
B72207S2131K101
EPCOS (TDK)
B72207S2271K311
EPCOS (TDK)
B72207S2231K101
EPCOS (TDK)
A54SX32-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S400-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC4010XL-2PQ208I
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
XC6VLX365T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45E2LG
Intel
EP4SGX70DF29C3
Intel
5SGSMD3H3F35C3N
Intel