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Référence fabricant | ERZ-E11F221 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11F221 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11F221 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 140V |
Volts CC maximum | 180V |
Tension de varistance (min) | 198V |
Tension de varistance (Typ) | 220V |
Tension de varistance (max) | 242V |
Courant - Surtension | 6kA |
Énergie | 78J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 660pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 13mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11F221 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11F221-FT |
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
820544211
Wurth Electronics Inc.
820544611
Wurth Electronics Inc.
30234-220
Vicor Corporation
30076
Vicor Corporation
A40MX04-FVQ80
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600L-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD8N3F45I3LN
Intel
XC2VP30-5FFG1152C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation