maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Varistances, MOVs / ERZ-E11F112
Référence fabricant | ERZ-E11F112 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11F112 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11F112 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 680V |
Volts CC maximum | 895V |
Tension de varistance (min) | 990V |
Tension de varistance (Typ) | 1.1kV |
Tension de varistance (max) | 1.21kV |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 310J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 200pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 14mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11F112 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11F112-FT |
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
820544211
Wurth Electronics Inc.
820544611
Wurth Electronics Inc.
A1020B-VQ80C
Microsemi Corporation
EP1C3T144C8
Intel
LFEC1E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-3PQ100C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484E
Microsemi Corporation
EP2C50F672C6
Intel
EP20K200FC484-2
Intel
5SGXMA9K3H40C2LN
Intel
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Intel