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Référence fabricant | ERZ-E11E911 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E911 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E911 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 550V |
Volts CC maximum | 745V |
Tension de varistance (min) | 819V |
Tension de varistance (Typ) | 910V |
Tension de varistance (max) | 1.001kV |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 255J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 240pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 14mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E911 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E911-FT |
820541406
Wurth Electronics Inc.
820543001
Wurth Electronics Inc.
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
820523006
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
10M08DCF484C8G
Intel
EP4SGX360FH29C3
Intel
XA7A15T-1CPG236I
Xilinx Inc.
AGL030V2-QNG132
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200BC356-1X
Intel